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1206N122G500CT 发布时间 时间:2025/7/1 5:41:39 查看 阅读:7

1206N122G500CT 是一款采用氮化镓(GaN)技术的高功率密度、高性能场效应晶体管(FET)。该器件专为高频和高效应用而设计,具有极低的导通电阻和快速开关特性。其封装形式为行业标准的表面贴装型封装,适合自动化生产和高温环境下的使用。
  这款 GaN 器件适用于要求高效率和小尺寸解决方案的应用场景,例如服务器电源、通信电源、太阳能逆变器以及 DC-DC 转换器等。相比传统的硅基 MOSFET,1206N122G500CT 提供了更优的动态性能和更高的工作频率。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:20A
  导通电阻:50mΩ
  栅极电荷:30nC
  反向恢复电荷:0nC
  热阻:2°C/W
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C

特性

1206N122G500CT 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,支持 MHz 级的工作频率,非常适合高频应用场景。
  3. 没有反向恢复电荷(Qrr=0),从而降低开关损耗。
  4. 小巧的封装形式,节省 PCB 空间,同时具备良好的散热性能。
  5. 宽泛的工作温度范围,确保在极端环境下稳定运行。
  6. 高可靠性设计,经过严格的测试以满足工业级和商业级应用需求。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 数据中心及电信设备中的 AC-DC 和 DC-DC 电源模块。
  2. 太阳能微逆变器和储能系统的功率转换电路。
  3. 消费类电子产品如快充适配器和无线充电器。
  4. 工业驱动和电机控制,特别是需要高效能的小型化设计场合。
  5. 电动汽车车载充电器(OBC)以及 DC-DC 变换器。
  6. 其他任何追求高效率、高功率密度和高频率的电力电子应用。

替代型号

1206N120G400CT, 1206N122G600CT

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1206N122G500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.43375卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.035"(0.90mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-