时间：2025/12/26 18:41:26
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PN8112是一款高度集成的电流模式PWM控制芯片，主要应用于离线式小功率AC-DC电源适配器、充电器以及待机电源等场合。该芯片由多家半导体厂商设计生产，常见于反激式（Flyback）拓扑结构中，具有高集成度、低待机功耗和良好的动态响应特性。PN8112内部集成了高压启动模块、电流检测电路、PWM调制器、逻辑控制单元以及保护电路，能够显著简化外围电路设计，降低系统成本。其采用BCD工艺制造，具备较高的可靠性和稳定性，适用于宽输入电压范围（通常为85VAC~265VAC）的应用环境。由于其内置了多种保护功能，如过载保护（OLP）、过压保护（OVP）、过温保护（OTP）以及前沿消隐（Leading Edge Blanking, LEB）等功能，使得电源系统在各种异常情况下仍能安全运行。此外，PN8112支持频率抖动技术，有助于降低电磁干扰（EMI），从而减少外部滤波元件的需求，进一步优化整体解决方案的尺寸与成本。
工作电压范围：8V~20V
启动电流：<5μA
工作频率：65kHz±8%
占空比范围：0~50%
反馈控制方式：电流模式PWM
封装形式：SOP-8
内置MOSFET耐压：650V
导通电阻（Rdson）：典型值9Ω
电流采样阈值：0.72V（典型）
软启动时间：约8ms
最大输出功率：支持≤12W应用
待机功耗：<150mW（满足六级能效标准）
PN8112的核心特性之一是其高度集成化设计，将高压启动电路、650V耐压功率MOSFET与PWM控制器集成于单一芯片内部，极大减少了外部元器件数量，提升了系统的可靠性并降低了BOM成本。这种集成方式特别适合用于空间受限的小型电源产品，如手机充电器、IoT设备供电模块等。芯片内置的高压启动电路可在上电时直接从母线电压为VDD电容充电，无需额外的启动电阻网络，不仅提高了效率，还缩短了启动时间。
在控制策略方面，PN8112采用峰值电流模式控制，具备快速的负载响应能力和良好的线性调整率。通过实时监测原边电流信号，实现精确的输出调节，配合光耦和TL431构成的反馈回路，可实现稳定的恒压（CV）输出。同时，芯片内部设有前沿消隐电路，有效避免因开关噪声引起的误触发，提升系统抗干扰能力。
安全性方面，PN8112集成了多重保护机制。当发生输出短路、过载或反馈开环等故障时，芯片会自动进入打嗝模式（Hiccup Mode），限制输出能量，防止持续发热损坏元件。过温保护功能则会在结温超过设定阈值时关闭输出，待温度下降后自动恢复工作。此外，芯片支持抖频技术，将开关频率在一定范围内随机变化，分散能量分布，显著降低传导和辐射EMI，有助于通过国际认证如CE、FCC等。这些特性使其广泛应用于对安全性和EMI要求较高的消费类电子产品中。
PN8112广泛应用于小功率开关电源系统中，典型应用场景包括5V/1A至5V/2.4A的USB充电器、智能家居设备的电源模块、路由器与机顶盒的辅助电源、LED照明驱动电源以及便携式电子产品的适配器。由于其具备低待机功耗和高转换效率的特点，符合全球日益严格的能源效率标准，如欧盟CoC V5 Tier 2、美国DoE Level VI以及中国GB20943等能效规范，因此在绿色节能电源设计中备受青睐。此外，该芯片也常用于电池充电管理系统中的隔离型DC-DC转换前端，提供稳定可靠的隔离电源。其简洁的外围电路设计使得工程师能够快速完成产品开发与调试，缩短上市周期。
OB2273
BP8112
LNK306
TNY278
