型号：2SA1797G-B-AB3-R
　　制造商：Toshiba
　　晶体管类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（V_DS）：-30V
　　最大漏极电流（I_D）：-4.4A
　　最大功耗（P_D）：1W
　　导通电阻 R_DS(on)：45mΩ（@ V_GS = -10V）
　　导通电阻 R_DS(on)：50mΩ（@ V_GS = -4.5V）
　　栅源阈值电压（V_GS(th)）：-1.0V ~ -2.5V
　　栅极电荷（Q_g）：12nC（@ V_GS = -10V）
　　输入电容（C_iss）：400pF（@ V_DS = -15V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-4L (AB3-R)
　　安装方式：表面贴装

2SA1797G-B-AB3-R的核心特性之一是其低导通电阻，这显著降低了在导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效。该器件在V_GS = -10V时R_DS(on)仅为45mΩ，在V_GS = -4.5V时也仅50mΩ，这种低阻抗特性使其非常适合用于电池供电设备中，如智能手机、平板电脑和便携式医疗设备，能够有效减少发热并延长电池续航时间。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，其最大结温可达+150°C，并配备有热关断保护机制，确保在异常工作条件下仍能保持安全运行。
　　另一个重要特性是其快速的开关能力。由于输入电容较低（C_iss ≈ 400pF）且栅极电荷小（Q_g ≈ 12nC），该器件能够实现快速的开启和关闭响应，从而减少开关过程中的能量损耗，提升高频开关应用（如同步降压变换器或负载开关）的效率。其栅极驱动电压范围宽，支持-4.5V至-10V的负压驱动，兼容大多数常见的逻辑电平输出，方便与微处理器或专用电源管理IC直接连接，无需额外的电平转换电路。
　　该器件还具备优异的可靠性与鲁棒性。它通过了AEC-Q101车规认证，意味着其在高温、高湿、振动和频繁开关等严苛环境下仍能保持长期稳定工作，适用于汽车电子中的电源分配系统、LED驱动模块或车载信息娱乐系统。封装采用SOP-4L形式，不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，有助于将热量从芯片传导至电路板。此外，器件内部结构优化减少了寄生参数的影响，提升了抗噪声能力和电磁兼容性（EMC），在复杂电磁环境中依然表现稳定。综合来看，2SA1797G-B-AB3-R在性能、可靠性和集成度方面均表现出色，是现代高效电源系统中的理想选择。

2SA1797G-B-AB3-R广泛应用于多种电源管理场景，尤其是在需要高效率和小尺寸设计的便携式电子产品中。典型应用包括移动设备中的电池供电开关，用于控制主电源与备用电源之间的切换，或在设备关机时完全切断外设供电以降低待机功耗。此外，它常被用作DC-DC转换器中的同步整流开关，特别是在降压（Buck）拓扑中作为上管或下管使用，利用其低R_DS(on)特性减少导通损耗，提高转换效率。
　　在工业控制系统中，该器件可用于继电器替代方案或固态开关，实现无触点控制，提高系统寿命和响应速度。它也适用于各类负载开关电路，例如为LCD背光、摄像头模块或无线通信单元提供独立的电源控制，避免不必要的能耗。
　　在汽车电子领域，得益于其AEC-Q101认证，2SA1797G-B-AB3-R可用于车身控制模块、车灯驱动、车载充电器和电池管理系统中，承担电源分配与保护功能。其宽工作温度范围和高可靠性确保在极端气候条件下仍能正常运作。
　　此外，该MOSFET还可用于过流保护电路、热插拔控制器以及USB电源开关等应用场景。在这些应用中，其快速响应能力和稳定的电气特性有助于防止瞬态电流冲击对系统造成损害。总之，无论是在消费类、工业还是汽车电子系统中，2SA1797G-B-AB3-R都是一种高度可靠且高效的功率开关解决方案。

2SA1797GR-B
　　2SA1797GT-B
　　SI2303-C-E3