时间：2025/4/27 13:41:32
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SI9986DY-T1-E3 是一款基于硅技术的 N 沣道场效应晶体管（N-Channel MOSFET），由 Vishay 公司生产。该器件适用于高频开关应用，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛用于电源管理、电机驱动以及负载切换等场景。
该型号采用了 Vishay 的 TrenchFET? 第四代技术，显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而提高了效率并减少了功率损耗。
类型：N-Channel MOSFET
封装：TO-252 (DPAK)
最大漏源电压 V(DSS)：60V
最大连续漏极电流 I(D)：38A
导通电阻 R(DS(on))：4.5mΩ（在 V(GS)=10V 时）
栅极电荷 Q(G)：17nC
总功耗 P(TOT)：225W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI9986DY-T1-E3 提供了出色的电气性能，特别是在高频开关应用中表现出色。其关键特性包括：
1. 极低的导通电阻（4.5mΩ），可有效降低传导损耗。
2. 快速开关能力，得益于较小的栅极电荷（17nC）。
3. 高电流处理能力（38A），适用于大功率应用场景。
4. 宽工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），适合各种环境条件下的应用。
5. 小型化设计（TO-252 封装），节省印刷电路板空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
SI9986DY-T1-E3 常见的应用领域包括：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
3. 计算机及服务器中的负载切换。
4. 电池保护电路中的高侧或低侧开关。
5. 工业自动化设备中的电源管理和信号调节。
6. 太阳能逆变器及其他可再生能源系统中的功率转换模块。
SIH988DU-E3, SI9890DY-E3
