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GCQ1555C1H7R8DB01D 发布时间 时间:2025/7/9 18:45:03 查看 阅读:14

GCQ1555C1H7R8DB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率电源转换和电机驱动应用设计。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能。其封装形式支持高效的散热管理,并能在恶劣的工作环境下保持稳定运行。

参数

型号:GCQ1555C1H7R8DB01D
  类型:N-Channel MOSFET
  额定电压:650V
  额定电流:40A
  导通电阻(典型值):7mΩ
  栅极电荷:95nC
  最大功耗:230W
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

GCQ1555C1H7R8DB01D具备低导通电阻,能够显著降低传导损耗,提升整体系统效率。同时,其快速的开关速度减少了开关损耗,非常适合高频应用环境。
  该芯片还具有强大的短路耐受能力,能够在极端条件下保护电路免受损坏。
  此外,它采用了优化的封装设计,确保了优秀的散热性能,使器件在高功率应用场景中依然表现稳定。
  由于其宽广的工作温度范围,这款MOSFET非常适合工业级和汽车级的应用需求。

应用

GCQ1555C1H7R8DB01D广泛应用于多种领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 逆变器
  4. 电机驱动
  5. 工业自动化设备
  6. 太阳能逆变系统
  7. 电动汽车及混合动力汽车的电力管理系统

替代型号

GCQ1555C1H7R8DB02D, IRF840, STP16NF65

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GCQ1555C1H7R8DB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.22884卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容7.8 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-