GCQ1555C1H7R8DB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率电源转换和电机驱动应用设计。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能。其封装形式支持高效的散热管理,并能在恶劣的工作环境下保持稳定运行。
型号:GCQ1555C1H7R8DB01D
类型:N-Channel MOSFET
额定电压:650V
额定电流:40A
导通电阻(典型值):7mΩ
栅极电荷:95nC
最大功耗:230W
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
GCQ1555C1H7R8DB01D具备低导通电阻,能够显著降低传导损耗,提升整体系统效率。同时,其快速的开关速度减少了开关损耗,非常适合高频应用环境。
该芯片还具有强大的短路耐受能力,能够在极端条件下保护电路免受损坏。
此外,它采用了优化的封装设计,确保了优秀的散热性能,使器件在高功率应用场景中依然表现稳定。
由于其宽广的工作温度范围,这款MOSFET非常适合工业级和汽车级的应用需求。
GCQ1555C1H7R8DB01D广泛应用于多种领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 逆变器
4. 电机驱动
5. 工业自动化设备
6. 太阳能逆变系统
7. 电动汽车及混合动力汽车的电力管理系统
GCQ1555C1H7R8DB02D, IRF840, STP16NF65