晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：40 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：60 V
　　最大基极电流（Ib）：5 mA
　　耗散功率（Ptot）：100 mW
　　直流电流增益（hFE）：100 @ Ic=2 mA, Vce=5 V
　　过渡频率（fT）：100 MHz @ Ic=10 mA, Vce=5 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

LMBT3904TT1G具有出色的高频响应和低饱和压降，适用于高速开关和信号处理应用。
　　该晶体管具备良好的热稳定性和可靠性，可在较宽的温度范围内正常工作。
　　其SOT-523封装形式体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，适用于表面贴装工艺。
　　该器件采用无铅封装，符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品的设计需求。
　　此外，LMBT3904TT1G的hFE值在多个电流条件下保持稳定，确保了在不同应用场景下的性能一致性。

LMBT3904TT1G广泛应用于各类电子设备中，如便携式消费电子产品、无线通信模块、传感器接口电路、电源管理电路以及工业控制设备。
　　它可作为小信号放大器使用，适用于音频、射频和数字信号处理等场合。
　　同时，该晶体管也常用于逻辑电平转换、LED驱动、继电器控制和低功率开关电路中。
　　由于其高频特性，LMBT3904TT1G也适用于振荡器、混频器和射频前端模块的设计。
　　此外，在嵌入式系统和物联网设备中，该晶体管常用于驱动MOSFET栅极、继电器线圈或其他负载。

BC847系列（英飞凌）、MMBT3904（安森美）、2N3904（通孔封装版本）、2N2222、2N4401