SKT763/04D 时间：2025/8/22 20:36:26 阅读：27

SKT763/04D是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的功率MOSFET器件，广泛应用于电源管理和功率开关电路中。这款MOSFET采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，能够在高频率和高负载条件下稳定运行。SKT763/04D属于N沟道增强型MOSFET，适用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统和工业自动化设备等应用领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：110A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值）
　　封装类型：TO-220
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

SKT763/04D具有多项优异特性，首先其低导通电阻能够显著降低导通损耗，提高电源转换效率，特别适合用于高电流应用。其次，该器件采用了先进的沟槽栅技术，增强了栅极控制能力，从而优化了开关性能，减少了开关过程中的能量损耗。此外，SKT763/04D具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，提高了系统的整体耐用性和稳定性。其TO-220封装形式便于散热设计，适用于多种功率模块和电源系统。该MOSFET还具备较高的雪崩耐受能力，能够在突发电压冲击下保持稳定工作，增强了电路的可靠性。

应用

SKT763/04D广泛应用于各种功率电子设备中，例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源开关控制电路以及工业自动化控制系统。此外，它也适用于高功率LED照明、电源适配器、UPS不间断电源和电动车充电模块等场合。由于其优异的导通和开关性能，该MOSFET在新能源、电动汽车、工业电源等领域具有广泛的应用前景。