SKT763/04D是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的功率MOSFET器件,广泛应用于电源管理和功率开关电路中。这款MOSFET采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和优异的开关性能,能够在高频率和高负载条件下稳定运行。SKT763/04D属于N沟道增强型MOSFET,适用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统和工业自动化设备等应用领域。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):110A
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ(典型值)
封装类型:TO-220
工作温度范围:-55°C至175°C
SKT763/04D具有多项优异特性,首先其低导通电阻能够显著降低导通损耗,提高电源转换效率,特别适合用于高电流应用。其次,该器件采用了先进的沟槽栅技术,增强了栅极控制能力,从而优化了开关性能,减少了开关过程中的能量损耗。此外,SKT763/04D具备良好的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行,提高了系统的整体耐用性和稳定性。其TO-220封装形式便于散热设计,适用于多种功率模块和电源系统。该MOSFET还具备较高的雪崩耐受能力,能够在突发电压冲击下保持稳定工作,增强了电路的可靠性。
SKT763/04D广泛应用于各种功率电子设备中,例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统(BMS)、电机驱动器、电源开关控制电路以及工业自动化控制系统。此外,它也适用于高功率LED照明、电源适配器、UPS不间断电源和电动车充电模块等场合。由于其优异的导通和开关性能,该MOSFET在新能源、电动汽车、工业电源等领域具有广泛的应用前景。
STP110N3LLF7AG SKT763/04D的替代型号包括STP110N3LLF7AG、IRF1405、FDMS86101、SiR142DP等,这些器件在参数性能和封装形式上具有相似性,可根据具体设计需求进行选型替换。