FMH13N80E是一款N沟道增强型高压MOSFET,主要应用于需要高效能和高稳定性的电源管理系统中。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性,适用于各种开关电源、电机控制和功率转换设备。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏极电流(ID):13A
漏源电压(VDS):800V
栅源电压(VGS):±30V
导通电阻(RDS(ON)):典型值为0.45Ω
工作温度范围:-55℃至+150℃
FMH13N80E具有多项优异特性,使其在高压应用中表现出色。
首先,其高耐压特性允许其在800V的漏源电压下稳定工作,适用于各种高压电源设计。这种高耐压能力不仅提高了器件的可靠性,还减少了电路设计中的元件数量,简化了系统结构。
其次,FMH13N80E的导通电阻较低,典型值为0.45Ω。低导通电阻意味着在导通状态下,MOSFET的功耗更低,从而提高了系统的整体效率。这对于需要长时间工作的电源设备尤为重要,可以有效降低发热,延长设备使用寿命。
此外,该MOSFET的栅源电压范围为±30V,具有较强的抗过压能力,能够在复杂电磁环境中稳定运行。这一特性使得FMH13N80E在工业控制、自动化设备等应用中表现优异。
最后,FMH13N80E的工作温度范围宽广,从-55℃到+150℃,适应了各种极端环境条件下的工作需求。这使得它能够在高温或低温环境下保持稳定性能,满足工业级和军用级应用的要求。
FMH13N80E广泛应用于多种高压和高功率电子设备中。
在开关电源(SMPS)设计中,FMH13N80E是理想的选择。由于其高耐压和低导通电阻特性,能够有效提高电源转换效率并减少发热,适用于AC/DC和DC/DC转换器等电路拓扑结构。
在电机控制系统中,FMH13N80E可用于驱动直流电机、步进电机以及无刷直流电机。其高电流承载能力和良好的热稳定性确保了电机在高负载条件下仍能可靠运行。
此外,该MOSFET还常用于UPS(不间断电源)系统、光伏逆变器和工业自动化控制设备中。在这些应用中,FMH13N80E的高压耐受能力和稳定性能确保了系统在高负荷或恶劣环境下的持续运行。
在消费类电子产品中,如高功率LED驱动器、电源适配器等,FMH13N80E也因其高效率和低成本优势而被广泛采用。
FQP13N80, STF13N80, IRFBC40