时间：2025/8/23 8:41:15
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SKT290F08DT是一款由东芝（Toshiba）公司制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换系统中。该器件采用N沟道结构，适用于高效率开关应用，例如DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电源管理模块。该MOSFET封装为TO-252（DPAK）形式，具有良好的热管理和紧凑的封装设计，适合中高功率应用的需求。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：90A
最大漏源电压（VDS）：80V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大8mΩ（典型值为5mΩ）
功耗（PD）：125W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
SKT290F08DT具备多个关键特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流条件下具有最小的功率损耗，从而提高整体系统效率。其次，该MOSFET支持高达90A的连续漏极电流，适用于高功率负载的开关控制。此外，80V的漏源电压额定值使其适用于多种中压电源转换系统，如电动工具、工业自动化设备和汽车电子系统。
该器件采用TO-252封装，具有良好的热性能和机械稳定性，便于在PCB上安装和散热。栅极驱动电压范围宽广（通常支持4.5V至10V驱动），可兼容多种驱动器IC。此外，其高雪崩能量耐受能力增强了在突发电压应力下的可靠性，提高了器件的耐用性。最后，该MOSFET具有较低的输入电容和开关损耗，适合高频开关应用，有助于减小外围元件尺寸并提升系统响应速度。
SKT290F08DT主要应用于需要高电流、高效率和高可靠性的电子系统中。例如，在电动汽车和混合动力汽车中，它可用于电池管理系统、DC-DC转换器和电机驱动控制。在工业领域，该器件可用于工业电源、伺服电机控制和自动化设备中的负载开关。此外，消费类电子产品如高性能笔记本电脑、电源适配器以及智能家电中也常见其身影。在电信设备和服务器电源中，SKT290F08DT也可用于高效率电源转换模块，以提升能效并减少热量产生。
TKA90E08AL,TN090N08GL
