时间：2025/4/28 19:24:24
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TF060N10NG是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），由Transphorm公司生产。该器件采用TO-247封装形式，具有高频、高效和高功率密度的特点，适用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及其他需要快速开关和低损耗的应用场景。
这款氮化镓晶体管采用了增强型设计（e-mode），确保其在默认状态下处于关闭模式，从而提升了系统运行的安全性和可靠性。此外，它还支持高达100V的工作电压，并具备极低的导通电阻，使其在高频工作条件下仍然保持较高的效率。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：6A
导通电阻：160mΩ
栅极阈值电压：2.8V~5.6V
输入电容：1590pF
反向传输电容：330pF
开关速度：纳秒级
结温范围：-55℃~+150℃
TF060N10NG的主要特点是其卓越的高频性能和高能效。相比传统的硅基MOSFET，该器件的开关频率可提高数倍，同时降低了开关损耗和导通损耗。其氮化镓技术带来的低寄生电感和优异的热性能，使得在高功率密度应用中表现出色。
此外，该器件的增强型设计保证了其在电路中的安全性，无需额外的偏置电路即可实现正常工作。同时，其TO-247封装形式提供了良好的散热性能，便于用户集成到各种功率电子系统中。
TF060N10NG广泛应用于高频开关电源、服务器电源、通信电源、光伏逆变器、电机驱动器以及各类工业自动化设备中。其高效的开关特性和低损耗使其成为现代电力电子系统的理想选择。
尤其是在数据中心和电信基础设施领域，该器件能够显著提升电源转换效率，降低能源消耗。同时，在新能源汽车充电桩和太阳能发电系统中，其高功率密度和可靠性能也得到了充分验证。
TP65H032WSG
GAN063-650WS8
GXT6502N10L
