时间：2025/9/14 4:22:07
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BUK7606-55A,118 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源转换应用设计。该器件采用先进的TrenchMOS技术，提供低导通电阻和快速开关特性，适用于DC-DC转换器、电源管理模块、电机控制和负载开关等多种应用。该MOSFET为N沟道增强型，封装形式为TO-220AB，具有良好的散热性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：55V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：60A
导通电阻（Rds(on)）：最大6.5mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Ptot）：150W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-220AB
BUK7606-55A,118 的核心优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。其6.5mΩ的Rds(on)值在10V栅极驱动电压下表现优异，使得该器件适用于高电流应用。此外，该MOSFET具备快速开关能力，减少了开关损耗，提高了电源转换器的整体效率。
器件采用TrenchMOS技术，优化了芯片结构，从而在相同的封装尺寸下实现了更高的电流承载能力和更低的热阻。其TO-220AB封装形式具备良好的热管理性能，适合需要高功率密度的设计。该器件还具备高雪崩能量耐受能力，增强了在极端条件下的稳定性和可靠性。
此外，BUK7606-55A,118具有宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C），适应各种严苛环境下的应用需求。其栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的驱动电路设计，简化了系统集成。综合来看，该MOSFET在性能、效率和可靠性方面表现出色，是高功率应用的理想选择。
BUK7606-55A,118广泛应用于多个领域，包括但不限于：高效能DC-DC转换器、同步整流器、电源管理系统、电机驱动电路、负载开关、电池充电器以及工业自动化设备中的功率控制模块。其出色的导热性能和低导通损耗也使其成为服务器电源、通信设备电源和新能源系统（如太阳能逆变器）中的优选功率器件。
STP60NF55-05, IRF1405, FDP6030L, SiR178DP
