STW10NB60 时间：2025/7/22 14:30:48 阅读：7

STW10NB60 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高电压功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件设计用于高功率开关应用，具有高击穿电压、低导通电阻和高可靠性等特点。STW10NB60 特别适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、逆变器等需要高效功率转换的系统中。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大连续漏极电流（Id）：10A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.45Ω（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Ptot）：75W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-247

特性

STW10NB60 MOSFET具有多项优异的电气和物理特性。首先，其高漏源击穿电压（600V）使其适用于高压应用，如电源适配器、电机驱动器和工业控制系统。其次，该器件的低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，STW10NB60具备良好的热稳定性，封装设计支持良好的散热性能，能够在较高功率下保持稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽（±30V），提高了驱动灵活性，并增强了抗干扰能力。该器件还具备快速开关特性，适合高频应用，有助于减小外围电路的尺寸。STW10NB60还具有较高的耐用性和可靠性，符合工业级质量标准，适用于严苛环境下的长期运行。
　　该MOSFET采用TO-247封装，便于安装在散热片上，进一步提升热管理能力。此外，其内部结构优化，具有较低的寄生电容和电感，有助于减少开关过程中的电磁干扰（EMI），提高系统稳定性。综合这些特性，STW10NB60是一款适用于多种高功率应用场景的高性能MOSFET。

应用

STW10NB60广泛应用于多种功率电子系统中。常见用途包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、DC-DC转换器、工业自动化设备、照明控制系统以及电动车充电设备等。其高耐压和低导通电阻特性使其在高效率电源转换系统中表现出色。此外，由于其快速开关能力和良好的热性能，该器件也常用于需要频繁开关操作的控制系统中，如伺服电机控制、电动工具和家电中的功率控制模块。STW10NB60还适用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等对可靠性和效率有较高要求的应用场景。