时间：2025/11/12 11:43:38
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K4S560832C-TC60是一款由三星（Samsung）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于SDR SDRAM（同步动态随机存取存储器）系列。该器件广泛应用于需要中等容量和高性能内存支持的嵌入式系统、网络设备、工业控制设备以及消费类电子产品中。K4S560832C-TC60采用400引脚FBGA封装，具有较高的集成度和稳定性，适合在空间受限但对性能有一定要求的应用场景中使用。该芯片工作电压为3.3V，符合标准的LVTTL逻辑电平接口，兼容主流的SDRAM控制器。其组织结构为512Mbit（64MB），内部配置为4组Bank，每组包含多个行与列地址单元，通过时钟同步操作实现高效的数据传输控制。该芯片支持自动刷新、自刷新、突发模式等多种功能，以优化功耗和访问效率。K4S560832C-TC60的工作温度范围通常为商业级（0°C至+70°C），适用于常规环境下的电子设备设计。作为一款成熟的SDR SDRAM产品，它曾在2000年代初期至中期被大量用于各类主板、显卡和通信模块中。尽管当前市场已逐步向DDR、DDR2及更高版本过渡，但在一些老旧设备维护、备件替换或特定工业应用中，K4S560832C-TC60仍具有一定的使用价值和技术参考意义。
型号：K4S560832C-TC60
制造商：Samsung
类型：SDR SDRAM
容量：512Mbit（64MB）
组织结构：8M x 32位 x 2 Banks（等效）
电压：3.3V ± 0.3V
工作温度：0°C 至 +70°C
封装：400-ball FBGA
时钟频率：最高166MHz
数据速率：166Mbps（单倍数据速率）
访问时间：60ns（tAC）
刷新周期：8ms / 4K（自动刷新）
I/O逻辑：LVTTL
引脚数：400
带宽：约533MB/s（最大理论带宽）
页大小：根据行地址宽度决定，典型值为1KB或2KB
