H55S1262EFP-60E 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的DDR SDRAM(双倍数据速率同步动态随机存取存储器)芯片,属于高性能内存解决方案的一部分。该型号属于DDR SDRAM的早期产品之一,广泛用于个人计算机、服务器以及嵌入式系统中作为主存储器。该芯片的封装形式为TSOP(Thin Small Outline Package),适用于标准内存模块的设计。
类型:DRAM
子类型:DDR SDRAM
容量:128MB
数据宽度:16位
电压:3.3V
时钟频率:166MHz
存取时间:60ns
封装类型:TSOP
引脚数:54
工作温度范围:0°C至70°C
H55S1262EFP-60E 是一款基于DDR SDRAM技术的存储芯片,具有较高的数据传输效率和稳定性。其主要特性包括高速数据传输能力,支持在系统时钟的上升沿和下降沿同时进行数据传输,从而实现双倍数据速率。该芯片的工作频率为166MHz,对应的数据传输速率为333Mbps(兆位每秒),这使得它能够显著提升系统的内存带宽,满足当时计算设备对内存性能的需求。
此外,H55S1262EFP-60E 采用3.3V电源供电,符合当时主流的低功耗设计趋势,同时确保了芯片的稳定运行。其TSOP封装形式不仅节省空间,还具备良好的散热性能,适用于各种紧凑型电子设备。
这款芯片的存储容量为128MB,数据宽度为16位,通常以多个芯片并联的方式组成更高容量的内存模块。其工作温度范围为0°C至70°C,适用于大多数工业和商业应用场景。60ns的存取时间确保了其在高速数据访问中的可靠性。
总体而言,H55S1262EFP-60E 是一款性能稳定、功耗适中的DDR SDRAM芯片,适用于早期的个人电脑、服务器以及需要高性能内存的嵌入式设备。
H55S1262EFP-60E 主要用于早期的个人计算机、服务器、嵌入式系统以及工业控制设备中,作为主存储器使用。由于其较高的数据传输速率和稳定性,该芯片广泛应用于需要高效内存处理能力的场景,如图形工作站、数据存储设备以及网络通信设备等。此外,它也被用于一些消费类电子产品中,如游戏主机和多媒体设备。
H57V1262B4BPR-6B-A、H57V2562GTR-6B-A、H57V5122B4BPR-6B-A