H55S1262EFP-60E 时间：2025/9/2 0:45:04 阅读：23

H55S1262EFP-60E 是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的DDR SDRAM（双倍数据速率同步动态随机存取存储器）芯片，属于高性能内存解决方案的一部分。该型号属于DDR SDRAM的早期产品之一，广泛用于个人计算机、服务器以及嵌入式系统中作为主存储器。该芯片的封装形式为TSOP（Thin Small Outline Package），适用于标准内存模块的设计。

参数

类型：DRAM
　　子类型：DDR SDRAM
　　容量：128MB
　　数据宽度：16位
　　电压：3.3V
　　时钟频率：166MHz
　　存取时间：60ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：0°C至70°C

特性

H55S1262EFP-60E 是一款基于DDR SDRAM技术的存储芯片，具有较高的数据传输效率和稳定性。其主要特性包括高速数据传输能力，支持在系统时钟的上升沿和下降沿同时进行数据传输，从而实现双倍数据速率。该芯片的工作频率为166MHz，对应的数据传输速率为333Mbps（兆位每秒），这使得它能够显著提升系统的内存带宽，满足当时计算设备对内存性能的需求。
　　此外，H55S1262EFP-60E 采用3.3V电源供电，符合当时主流的低功耗设计趋势，同时确保了芯片的稳定运行。其TSOP封装形式不仅节省空间，还具备良好的散热性能，适用于各种紧凑型电子设备。
　　这款芯片的存储容量为128MB，数据宽度为16位，通常以多个芯片并联的方式组成更高容量的内存模块。其工作温度范围为0°C至70°C，适用于大多数工业和商业应用场景。60ns的存取时间确保了其在高速数据访问中的可靠性。
　　总体而言，H55S1262EFP-60E 是一款性能稳定、功耗适中的DDR SDRAM芯片，适用于早期的个人电脑、服务器以及需要高性能内存的嵌入式设备。

应用

H55S1262EFP-60E 主要用于早期的个人计算机、服务器、嵌入式系统以及工业控制设备中，作为主存储器使用。由于其较高的数据传输速率和稳定性，该芯片广泛应用于需要高效内存处理能力的场景，如图形工作站、数据存储设备以及网络通信设备等。此外，它也被用于一些消费类电子产品中，如游戏主机和多媒体设备。