时间：2025/8/23 0:56:01
阅读：26
SKT140F12DV是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET，主要用于高功率和高频率的应用场景，如电源转换器、逆变器以及电机控制系统。该器件采用先进的沟槽栅极技术，提供较低的导通电阻和高效的开关性能，从而降低了功率损耗并提高了系统效率。此外，该器件的封装设计有助于提高散热性能，使其在高温环境下也能保持稳定运行。
类型：功率MOSFET
漏源电压（Vds）：1200V
漏极电流（Id）：140A
Rds（on）：约25mΩ
栅极电荷（Qg）：约160nC
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至175°C
SKT140F12DV具备多项优越特性，使其适用于高功率应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了整体效率。其次，该器件具有较低的开关损耗，使其在高频开关应用中表现优异。此外，该MOSFET采用了先进的封装技术，优化了散热性能，能够在高功率密度环境下稳定运行。SKT140F12DV还具备较高的耐用性和可靠性，适用于严苛的工业环境。其快速恢复二极管集成设计进一步优化了系统性能，减少了外部组件的需求，提高了整体设计的紧凑性。
SKT140F12DV广泛应用于各种高功率电子设备，包括工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器以及电动汽车充电系统。在这些应用中，该器件能够有效降低能量损耗，提高系统效率，并支持高频操作，满足现代电力电子设备对高性能和高可靠性的需求。
SKM140GB12T4ag, FF140R12KS4P
