时间：2025/5/9 15:59:15
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CBW160808U750T 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频和高功率密度应用场景设计。该型号采用先进的封装技术，具有低寄生电感、高开关速度以及出色的热性能，适合用于开关电源、DC-DC转换器、无线充电模块等应用领域。
该芯片以增强型场效应晶体管（eGaN FET）为核心，能够显著提高系统效率并减少体积。其高耐压特性和低导通电阻使其成为传统硅基MOSFET的理想替代品。
最大漏源电压：750V
连续漏极电流：16A
导通电阻：80mΩ
栅极电荷：23nC
开关频率：超过5MHz
封装类型：TO-247-4L
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
CBW160808U750T 的主要特性包括：
1. 高击穿电压（750V），适用于高压环境下的应用。
2. 极低的导通电阻（80mΩ），有助于降低传导损耗，提高系统效率。
3. 快速开关能力，支持高达5MHz的开关频率，满足高频应用需求。
4. 减少的栅极电荷和输出电荷，进一步提升了开关性能。
5. 先进的封装设计降低了热阻，确保长时间稳定运行。
6. 宽泛的工作温度范围，适应极端条件下的使用场景。
这款芯片广泛应用于多种高要求的电力电子设备中，例如：
1. 开关模式电源（SMPS），包括AC-DC适配器和服务器电源。
2. DC-DC转换器，特别是隔离式或非隔离式拓扑结构。
3. 无线充电发射端，提供高效的能量传输。
4. 电动车辆（EV）和混合动力车辆（HEV）中的车载充电器及逆变器。
5. 工业电机驱动和可再生能源逆变器，如太阳能微逆变器。
6. LED照明驱动电源，支持更高效率和更小尺寸的设计。
GB75016A, NVP1608G750, TPH7500E08
