3EZ30 是一种常见的齐纳二极管(Zener Diode),广泛用于电压调节和稳压电路中。它通常采用DO-41或类似的封装形式,具备良好的稳定性和可靠性。该器件通过其齐纳击穿电压特性,在电路中提供一个固定的参考电压,从而实现对电路的稳压作用。
类型:齐纳二极管
齐纳电压:30V
功率:1W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:DO-41
最大齐纳电流:40mA
动态电阻:约50Ω(典型值)
反向漏电流:≤10μA(在额定电压下)
3EZ30 齐纳二极管具有稳定可靠的电压调节性能。其齐纳击穿电压为30V,在反向偏置状态下能够提供稳定的电压输出。该器件的最大功率耗散为1W,适合用于中低功率的稳压应用。此外,3EZ30具有较宽的工作温度范围(-55°C至+150°C),适用于多种环境条件下的电路设计。
该器件的动态电阻较低,通常约为50Ω,有助于减小电压波动,提高电路的稳定性。在反向漏电流方面,3EZ30的漏电流非常小,通常不超过10μA,确保在低功耗应用中的高效运行。其DO-41封装形式具有良好的机械强度和耐久性,适用于各种电子设备中的稳压电路。
3EZ30 常用于需要30V稳压参考的电路中,如电源稳压电路、电压参考源、信号调理电路、保护电路以及各种测量和控制系统。它在模拟电路和数字电路中都有广泛应用,特别是在需要稳定电压参考的设计中。
1N4749A, BZX84-C30, 1N5250B-T