时间：2025/6/13 13:17:16
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ZXMN2F30FHTA是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-263-3封装，适用于高效率开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用领域。其设计注重低导通电阻和快速开关性能，能够有效减少系统能耗并提升整体效率。
该MOSFET的额定电压为30V，具有优异的热特性和电气特性，同时支持表面贴装工艺，适合自动化生产环境。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：19A
导通电阻：2.8mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：47nC（典型值）
输入电容：1150pF（典型值）
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-263-3
ZXMN2F30FHTA具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动电压下仅为2.8mΩ，有助于降低传导损耗。
2. 高额定电流能力，连续漏极电流可达19A，适用于大功率应用。
3. 快速开关性能，栅极电荷小，仅为47nC（典型值），可以显著减少开关损耗。
4. 宽广的工作温度范围，从-55℃到+175℃，确保在极端环境下依然可靠运行。
5. 采用高效的TO-263-3封装，支持表面贴装技术，简化了生产工艺并提高了可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
ZXMN2F30FHTA主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，包括AC-DC和DC-DC转换器。
2. 工业电机驱动和逆变器控制。
3. 高效负载切换和电池管理电路。
4. 通信设备中的功率级模块。
5. 汽车电子系统的功率转换和控制单元。
6. 大功率LED驱动器和其他需要高效功率传输的应用场景。
ZXMN2F30FHDA, ZXMN2F30FHEA
