SKM195GAL124DN2 是由赛米控(SEMIKRON)生产的一款IGBT模块,适用于高功率应用。该模块集成了IGBT(绝缘栅双极晶体管)和二极管,具备高效率和可靠性。它广泛应用于工业电机驱动、可再生能源系统以及电力转换设备中。
型号: SKM195GAL124DN2
额定集电极-发射极电压(Vce): 1200V
额定集电极电流(Ic): 195A
封装类型: 双列直插式封装(DIP)
工作温度范围: -40°C 至 +150°C
短路电流耐受能力: 10μs @ 175°C
导通压降: 2.1V @ 195A
热阻(Rth): 0.23°C/W
输入电容(Cies): 5800pF
SKM195GAL124DN2 模块具有多个关键特性,使其在高性能电力电子应用中表现出色。首先,该模块的IGBT芯片采用了先进的沟道和场截止技术,显著降低了导通损耗和开关损耗。其次,模块的封装设计提供了优良的散热性能,确保在高负载条件下也能稳定工作。
此外,该模块具有较高的短路耐受能力,能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏,从而提高系统的可靠性和稳定性。模块内部的二极管也采用了优化设计,具有较低的反向恢复损耗和较高的可靠性,适用于高频开关应用。
为了增强模块的抗干扰能力,SKM195GAL124DN2 还采用了优化的封装材料和内部结构,减少了电磁干扰(EMI)的产生。这使其在电磁环境复杂的工业应用中表现出色。模块的引脚设计符合行业标准,方便用户进行PCB布局和安装,同时确保了良好的电气连接和机械稳定性。
SKM195GAL124DN2 主要用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子设备。典型应用包括变频器、伺服驱动器、电动车辆的电力系统、风力发电和太阳能逆变器。此外,该模块也适用于需要高效能和高稳定性的工业自动化设备和电力调节系统。
SKM200GB124DN2, SKM150GB124DN2, FF195R12KS4