电容值：3.3pF
　　容差：±0.1pF
　　额定电压：25V DC
　　温度特性：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0603（1.6mm x 0.8mm）
　　等效串联电阻（ESR）：典型值低于100mΩ（具体取决于频率）
　　绝缘电阻：≥1000MΩ或CR=100GΩ·μF（取较小值）
　　介质材料：陶瓷（Class II, X7R）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍/锡（Ni/Sn）
　　符合标准：RoHS合规，AEC-Q200（适用于汽车级应用）

CIG2MW3R3NNE采用先进的多层陶瓷制造工艺，内部由数十至上百层交替的陶瓷介质与内电极叠压而成，显著提升了单位体积下的电容密度和机械强度。其X7R类介质材料具备良好的温度稳定性，确保在-55°C到+125°C范围内电容值的变化不超过±15%，适用于对温漂要求较高的应用场景。该电容器还具有极低的等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），使其在高频下仍能维持高效的去耦能力，特别适合用于高速数字电路中的电源噪声抑制。
　　由于采用了优化的端电极结构和高强度烧结工艺，CIG2MW3R3NNE具备出色的抗热冲击和耐焊接性，能够承受回流焊过程中的高温循环而不发生开裂或性能退化。此外，其小型化的0603封装不仅节省PCB空间，还能降低寄生效应，提高整体系统可靠性。该器件对湿度不敏感，无需干燥存储，简化了仓储管理流程。村田对该系列产品进行了严格的可靠性测试，包括高温高湿偏置试验（THB）、温度循环试验（TCT）和长期寿命试验，确保其在工业控制、车载电子和通信基础设施等关键领域中的长期稳定运行。
　　值得一提的是，CIG2MW3R3NNE的设计充分考虑了自动化生产的兼容性，卷带包装符合EIA标准，适用于高速贴片机作业，提升生产效率并减少贴装缺陷率。其一致的尺寸公差和端子共面性保证了良好的焊接润湿性和连接可靠性。同时，该器件具备较强的抗机械应力能力，可有效缓解因PCB弯曲或热膨胀差异引起的微裂纹风险，从而延长产品使用寿命。

CIG2MW3R3NNE广泛应用于需要高稳定性和高频性能的电子系统中。在通信设备领域，它常用于射频前端模块、基站滤波器和谐振电路中，作为匹配网络的一部分，确保信号传输的完整性与效率。在高速数字系统中，例如FPGA、ASIC和微处理器的电源管理单元，该电容器被用作去耦电容，有效滤除高频噪声，稳定供电电压，防止因瞬态电流波动导致的误操作。
　　在汽车电子方面，得益于其AEC-Q200认证和宽温工作能力，CIG2MW3R3NNE可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块、车身控制单元和动力总成控制系统中，满足严苛环境下的可靠性要求。工业自动化设备如PLC控制器、伺服驱动器和工业HMI也大量采用此类电容，以保障在复杂电磁环境中的稳定运行。
　　此外，该器件还可应用于医疗电子、测试测量仪器和消费类高端电子产品中，特别是在对尺寸敏感且性能要求高的便携式设备中表现出色。其优异的频率响应特性使其成为LC滤波器、定时电路和振荡器中的理想选择。无论是批量生产还是小批量研发项目，CIG2MW3R3NNE都提供了可靠的电气性能和稳定的供应链保障。

GRM1887C1H3R3CD01D
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　　CL21A3R3CAQNNNE