您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1210Y562KXEAT31G

GA1210Y562KXEAT31G 发布时间 时间:2025/6/26 20:58:26 查看 阅读:7

GA1210Y562KXEAT31G 是一款高性能的功率放大器芯片,广泛应用于射频通信领域。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有高增益、高效率和低噪声的特点,能够满足现代无线通信系统对信号放大的严格要求。此型号通常用于基站、卫星通信和无线局域网等设备中。
  该芯片内置了多种保护机制,例如过热保护和负载短路保护,从而提高了系统的稳定性和可靠性。同时,它支持宽范围的输入电压,并且在较宽的工作温度范围内保持性能稳定。

参数

工作频率:1.8 GHz 至 2.2 GHz
  输出功率:30 dBm
  增益:15 dB
  电源电压:4.8 V 至 5.5 V
  静态电流:350 mA
  封装形式:QFN-16
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  噪声系数:3.5 dB
  谐波失真:-30 dBc

特性

GA1210Y562KXEAT31G 的主要特点是其高效的功率放大能力以及较低的噪声水平。这种组合使其非常适合需要高信噪比和强大信号传输的应用场景。此外,该芯片还具备良好的线性度,在大功率输出时仍能维持较低的互调失真。通过集成多项保护功能,它可以在各种复杂环境下长期稳定运行。
  另外,这款芯片支持灵活的偏置设置,用户可以根据具体需求调整工作点以优化性能或功耗。由于采用了小型化的 QFN 封装,因此非常便于集成到紧凑型设计中。

应用

GA1210Y562KXEAT31G 广泛应用于射频通信领域中的功率放大环节。典型的应用包括但不限于以下几种:
  1. 基站收发信机中的射频信号放大
  2. 卫星通信终端设备中的上行链路信号增强
  3. 无线局域网(WLAN)接入点和路由器的功率提升
  4. 移动通信测试仪器中的信号源驱动
  5. 其他需要高效功率放大的射频系统

替代型号

GA1210Y562KXEAT21G, GA1210Y562KXEAT41G

GA1210Y562KXEAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容5600 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-