类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：2.2A（最大）
　　漏极-源极电压（VDS）：20V
　　栅极-源极电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.095Ω @ VGS=4.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23

SI2300/AE9T MOSFET 具备多项优良特性，首先是其低导通电阻，能够在高电流条件下保持较低的功耗，提高系统效率。其 20V 的漏极-源极电压额定值使其适用于多种低压电源管理应用。该器件的栅极驱动电压范围宽，支持 1.8V 至 12V 的逻辑电平控制，兼容多种微控制器和数字电路。
　　此外，SI2300/AE9T 采用先进的沟槽 MOSFET 技术，提供了优异的热性能和较高的耐用性，适用于高频率开关应用。其 SOT-23 封装形式体积小巧，适合高密度 PCB 设计。由于其良好的热稳定性和抗静电能力，该器件在工业控制、消费电子和汽车电子领域均有广泛应用。

SI2300/AE9T 常用于多种电子系统中，特别是在电源管理模块中作为高侧或低侧开关使用。其典型应用场景包括电池供电设备中的负载开关、DC-DC 转换器、LED 驱动电路、马达控制以及各种便携式消费电子产品中的功率控制电路。此外，该器件也适用于需要高效能和低功耗的嵌入式系统和物联网设备中。
　　在工业控制方面，SI2300/AE9T 可用于继电器替代、传感器供电控制和电机驱动电路。在汽车电子领域，该 MOSFET 可用于车身控制模块、车载充电系统和 LED 照明系统等。其高可靠性和宽工作温度范围也使其适合用于严苛环境下的工业和汽车应用。

Si2302DS、IRLML2402、FDN304P、AO3400A、SI2302