类型：igbt模块
　　最大集电极-发射极电压（vce）：1700v
　　额定集电极电流（ic）：160a
　　短路耐受电流：320a
　　最大工作温度：150℃
　　封装形式：62mm标准封装
　　导通压降：约2.1v（典型值）
　　开关损耗：低开关损耗设计
　　热阻：约0.25k/w（结到壳）

Skkq160/18e 的igbt芯片采用了先进的沟槽栅结构和优化的载流子注入技术，使其在导通压降和开关损耗之间实现了良好的平衡。模块内部集成了反并联二极管，能够有效抑制反向电压尖峰，提高系统稳定性。此外，该模块采用了高可靠性的封装材料和焊接工艺，确保在高温和高湿度环境下依然具备优异的绝缘性能和机械强度。模块的封装设计符合rohs标准，支持环保应用。
　　其电气隔离能力高达3kv以上，适用于各种高电压隔离场合。同时，模块内部结构经过优化，降低了寄生电感，从而减少了开关过程中的电压震荡，提高了系统的emi性能。此外，skkq160/18e 具备良好的并联能力，适合在多模块并联应用中使用，以满足更高功率需求的系统设计。

Skkq160/18e igbt模块常用于中高压变频器、ups不间断电源、光伏逆变器、电焊机、感应加热设备以及电机驱动系统等电力电子设备中。其高可靠性和优异的热管理性能使其成为工业自动化、新能源发电、电动汽车充电设备等领域的理想选择。由于其高电压和大电流能力，该模块特别适用于需要高效能和高稳定性的应用场景。

Skkq160/18e的替代型号包括infineon的fs160r18w1t4_b11、on semiconductor的ngtb160n180sc1d2ag、stmicroelectronics的stkq160n180z和mitsubishi的cm160dy-18f。