CJU4828是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件通常用于开关和放大电路中,具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热稳定性等特性。它适用于各种功率转换和负载驱动应用,例如DC-DC转换器、电机控制和电源管理等场景。
CJU4828采用了先进的半导体制造工艺,能够在较高的电流和电压条件下高效工作,同时提供较低的功耗和更高的系统可靠性。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:15A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:7nC
开关时间:ton=10ns, toff=25ns
结温范围:-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低功率损耗,提升效率。
2. 高速开关性能,适合高频开关应用。
3. 较高的电流承载能力,支持大功率负载。
4. 稳定的工作温度范围,确保在极端环境下的可靠性。
5. 符合RoHS标准,环保且易于焊接和安装。
6. 小尺寸封装,节省PCB空间,便于设计紧凑型产品。
1. 开关电源中的同步整流和降压/升压转换。
2. 电机驱动和控制电路中的功率开关。
3. LED驱动器和背光调节电路。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的电源管理和保护电路。
6. 可充电电池管理系统中的充放电路径控制。
IRFZ44N
STP15NF06
FDP5800