时间：2025/8/14 2:38:35
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LESDA25VLT1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的低电容静电放电（ESD）保护二极管阵列，专为高速数据线路的瞬态电压保护而设计。该器件包含多个低电容二极管通道，能够在不影响信号完整性的情况下，有效吸收和泄放静电放电和其他瞬态电压事件产生的高能量，从而保护后端电路免受损坏。LESDA25VLT1G 采用小型化的SOT-23-6封装，适用于多种便携式和高速通信设备。
工作电压：25V
击穿电压（Vbr）：27.8V（最小）
钳位电压（Vc）：45V（最大）@ Ipp = 1A
反向关态电压（VRWM）：25V
峰值脉冲电流（Ipp）：1A
电容值（C）：典型值 15pF
封装形式：SOT-23-6
LESDA25VLT1G具备一系列显著的性能特点，首先，其低电容设计（典型值为15pF）确保了在高速数据传输过程中不会对信号完整性造成干扰，适用于USB 2.0、HDMI、以太网等高速接口的保护。其次，该器件具有快速响应时间，能够在纳秒级内响应ESD事件，从而迅速将高压脉冲钳位到安全水平，保护后端IC免受损坏。此外，LESDA25VLT1G具有高达±30kV的空气和接触放电ESD保护能力，符合IEC 61000-4-2 Level 4标准，确保设备在严苛的电磁环境中依然稳定运行。
器件的钳位电压较低，在1A的峰值脉冲电流下最大为45V，能够有效降低对后级电路的应力影响。同时，其低漏电流特性（通常小于0.1μA）保证了在正常工作条件下的低功耗表现。LESDA25VLT1G还具备良好的热稳定性和多次击穿耐受能力，能够在多次ESD事件中保持稳定性能。此外，SOT-23-6的小型封装形式使其非常适合空间受限的便携式电子设备应用，如智能手机、平板电脑、数码相机等。
LESDA25VLT1G广泛应用于需要高速数据线保护的电子设备中。典型应用包括USB接口（如USB 2.0、USB OTG）、HDMI接口、以太网端口、RS-485、CAN总线、VGA、DVI、DisplayPort等高速通信接口的静电放电保护。由于其低电容和快速响应特性，该器件特别适合用于保护高精度模拟前端、射频模块、音频线路、传感器接口等对信号完整性要求较高的电路。
在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、智能穿戴设备中，LESDA25VLT1G用于保护连接器和接口免受人体静电和外部环境静电的影响。在工业自动化系统中，该器件可用于保护PLC、通信模块、工业相机等设备的通信接口。此外，LESDA25VLT1G也适用于汽车电子系统中的车载娱乐接口、诊断端口和传感器接口的ESD保护，确保车辆电子系统在复杂电磁环境中的稳定运行。
LESDA24BT1G, LC03SC24V, ESDA6V1W5B, PESD25VL1BA
