类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：18A
　　导通电阻（Rds(on)）：25mΩ（最大值）
　　功耗（Ptot）：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

SKB25F04的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件在高温环境下仍能保持稳定工作，得益于其优异的热管理性能。
　　此外，SKB25F04采用了先进的沟槽栅技术，提升了开关速度和导通性能，适用于高频开关应用。该MOSFET具备高雪崩能量承受能力，增强了器件在瞬态过压条件下的可靠性。
　　封装方面，SKB25F04采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，便于在PCB上安装，并具备良好的散热能力，适用于高功率密度设计。
　　该器件还具备良好的抗短路能力，能够在极端条件下提供一定的保护功能，从而提升整体系统的稳定性与安全性。

SKB25F04广泛应用于各种高功率电子系统中，尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。其典型应用包括同步整流、DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统、电源开关以及工业自动化设备中的功率控制模块。
　　在电源管理领域，SKB25F04常用于降压（Buck）或升压（Boost）转换器中，作为主开关器件，实现高效的能量转换。在电机控制应用中，该MOSFET可用于H桥电路中，实现电机的正反转控制和制动功能。
　　由于其优异的导通特性和热稳定性，SKB25F04也常用于高功率LED驱动、汽车电子系统（如车载充电器和电机控制）以及可再生能源系统（如太阳能逆变器和储能系统）中的功率转换环节。

IRF3205, IPB015N04LC, FDP3632, NTD4858N