时间：2025/6/18 19:15:03
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FDS6688 是一款由 Fairchild Semiconductor（现已被 ON Semiconductor 收购）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。它主要应用于需要低导通电阻和快速开关特性的电路中，如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等场景。
该器件采用先进的制造工艺设计，具备优秀的电气性能和可靠性，同时封装形式为 SO-8，适合表面贴装技术（SMT），便于大规模生产。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：24A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷（典型值）：39nC
输入电容：1730pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SO-8
FDS6688 具有非常低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
其快速开关能力使得它非常适合高频应用，能够显著降低开关过程中的能量损失。
此外，该器件还具备出色的热稳定性和鲁棒性，能够在恶劣环境下正常运行。
FDS6688 的高电流承载能力和紧凑封装使其成为许多现代电子设备的理想选择。
FDS6688 广泛用于各种电力电子领域，例如：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关管。
2. 电池管理系统中的负载开关或保护电路。
3. 电动工具及小型电机驱动中的功率级开关。
4. 可穿戴设备和其他便携式电子产品中的高效电源管理模块。
5. 各类工业自动化设备中的信号隔离与功率传输控制单元。
FDP5588, IRF7843, SI4481DP
