RF5425TR13-5K 时间：2025/8/16 0:01:15 阅读：32

RF5425TR13-5K是一款由RF Micro Devices（现为Qorvo）生产的射频（RF）晶体管，适用于高频和高功率应用。这款晶体管基于GaAs（砷化镓）技术，具有出色的射频性能，适合用于通信系统、放大器、无线基础设施等应用场景。

参数

类型：射频晶体管
　　晶体管类型：GaAs FET
　　频率范围：2.4 GHz至2.5 GHz
　　输出功率：典型值25W（在2.45 GHz）
　　增益：典型值13dB
　　效率：典型值55%
　　工作电压：+28V
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　引脚数：3
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

特性

RF5425TR13-5K具备优异的线性度和高功率密度，使其成为无线通信系统中理想的功率放大器元件。该器件采用先进的GaAs技术制造，具有良好的热稳定性和可靠性。其高效率和低失真特性使得它在2.4GHz至2.5GHz频段内表现出色，适用于Wi-Fi、WiMAX和蜂窝通信等应用。此外，该晶体管具有良好的匹配特性，可减少外部匹配电路的复杂性。封装采用高热导率材料，有助于提高散热性能，确保长时间工作的稳定性。
　　该器件的设计支持高输出功率和高增益，同时保持较低的电流消耗，适用于电池供电设备。其紧凑的表面贴装封装形式适合自动化装配，提高了生产效率。RF5425TR13-5K还具有良好的抗静电能力和抗过热保护功能，增强了其在严苛环境下的可靠性。