时间：2025/5/8 16:42:18
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STFU15NM65N是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式，广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用场合。其设计目标是提供高效率和低导通损耗的解决方案。这款MOSFET的最大耐压为650V，适用于高压环境下的电力电子设备。
最大漏源电压：650V
最大连续漏极电流：15A
栅极阈值电压：4V
导通电阻（典型值，在Vgs=10V时）：0.7Ω
功耗：180W
工作温度范围：-55℃至+175℃
STFU15NM65N具有较高的耐压能力，适合在高电压条件下运行。
其导通电阻较低，在额定电压下可以显著减少传导损耗，提高系统效率。
该器件还具备快速开关性能，能够支持高频操作，从而缩小磁性元件的体积并降低整体成本。
内置的ESD保护功能增强了芯片的抗静电能力，提高了可靠性。
其封装形式TO-220便于散热处理，并且易于焊接和安装。
STFU15NM65N主要应用于开关电源、逆变器、不间断电源（UPS）、电机控制电路以及各种工业设备中的功率转换模块。
在汽车电子领域，它也可以用作车载充电器或电池管理系统的一部分。
此外，该MOSFET适合于需要高可靠性和高效率的场景，例如太阳能逆变器和LED驱动器。
STP15NM65N
IRFZ44N
IXTH15N65B
