时间：2025/5/12 9:02:28
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AZ5123-01H.R7G是一款高性能的低噪声放大器（LNA）芯片，专为射频和微波应用而设计。该芯片采用了先进的GaAs工艺技术制造，能够提供卓越的增益性能和极低的噪声系数，适合用于无线通信、雷达系统以及卫星通信等领域。
这款放大器具有宽带宽特性，能够在较宽的频率范围内保持稳定的性能表现。此外，它还具备高线性度和低功耗的特点，使其成为需要高性能和高效能应用的理想选择。
型号：AZ5123-01H.R7G
工作频率范围：0.5 GHz 至 4 GHz
增益：18 dB ± 0.5 dB
噪声系数：1.2 dB
输入回波损耗：＞10 dB
输出回波损耗：＞10 dB
电源电压：3.3 V
静态电流：60 mA
封装形式：SOT-89
1. AZ5123-01H.R7G采用增强型GaAs HEMT工艺制造，确保了其在高频段下的低噪声和高增益性能。
2. 芯片内部集成了匹配网络，简化了外部电路设计，并减少了外围元件的数量。
3. 具有出色的温度稳定性，在极端环境条件下仍能保持稳定的工作状态。
4. 提供了良好的线性度和抗干扰能力，适合要求苛刻的射频应用场景。
5. 封装紧凑，易于集成到小型化和便携式设备中。
1. 无线通信基站及终端设备中的射频前端模块。
2. 雷达接收机的信号放大处理部分。
3. 卫星通信系统的地面站设备。
4. 测试测量仪器，如频谱分析仪和矢量网络分析仪等。
5. 物联网（IoT）节点的射频信号增强与优化。
6. 医疗成像设备和其他对信号完整性要求较高的电子系统中。
BZ6312-02H.X5F, CY8173-R9T
