晶体管类型：NPN
　　封装类型：SOT-23-6
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Pd）：200 mW
　　直流电流增益（hFE）：110至800（取决于测试条件）
　　频率响应（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

BAT54TW T/R具有高性能和高可靠性，是双晶体管阵列器件中的经典型号。其主要特性包括：
　　1. 双NPN晶体管集成：在单个封装中集成了两个独立的NPN晶体管，减少了PCB板的空间占用，简化了电路设计。
　　2. 高频响应：晶体管的过渡频率（fT）高达100 MHz，使其适用于高频放大和高速开关应用。
　　3. 低饱和压降：BAT54TW T/R具有较低的Vce(sat)（典型值为0.2 V），提高了能效，降低了功耗。
　　4. 高增益特性：在不同的工作电流下，晶体管的直流电流增益（hFE）范围广泛，例如在2 mA测试电流下，hFE可以达到110至800，满足不同放大电路的需求。
　　5. 高耐压能力：集电极-发射极和集电极-基极的最大电压均为30 V，适用于多种中低电压应用环境。
　　6. 热稳定性好：由于采用先进的硅外延平面工艺，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作。
　　7. 环保封装：符合RoHS标准，无铅封装，适用于环保要求较高的电子产品。

BAT54TW T/R广泛应用于多种电子系统中，包括：
　　1. 信号放大电路：用于音频放大器、射频（RF）前端放大器和运算放大器中的偏置电路。
　　2. 开关电路：适用于数字电路中的晶体管开关，如LED驱动、继电器控制和电源管理电路。
　　3. 逻辑电平转换：在不同电压域之间进行信号转换，例如将3.3 V微控制器信号转换为5 V信号以驱动外围设备。
　　4. 传感器接口：用于传感器信号的放大和调理，例如在温度、压力或光敏传感器中进行信号预处理。
　　5. 无线通信模块：用于低噪声放大（LNA）和射频信号处理电路中，提高信号质量和系统稳定性。
　　6. 电池供电设备：由于其低功耗和高效率的特性，非常适合用于便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理和信号处理电路。

BC847BDS, 2N3904, BC547, MMBT3904