类型：MOSFET
　　晶体管配置：单N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：46A（Tc=25℃）
　　功耗（Pd）：3.2W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：8-SOIC

SiC674CD的主要特性之一是其极低的导通电阻，在4.5V栅极驱动电压下，Rds(on)仅为7.8mΩ，这使得该器件在高电流应用中能够保持较低的导通损耗，提高整体系统效率。此外，SiC674CD采用了先进的TrenchFET技术，使得在相同尺寸下，性能优于传统MOSFET。
　　另一个关键特性是其高可靠性和耐用性。SiC674CD在极端温度条件下仍能保持稳定工作，适用于工业和汽车等严苛环境。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高负载条件下有效散热，延长使用寿命。
　　SiC674CD的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至20V的栅极电压，这使得它能够兼容多种驱动电路设计，提高了设计灵活性。同时，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。
　　此外，SiC674CD的8-SOIC封装形式不仅节省空间，还简化了PCB布局，提高了组装效率。该封装具有良好的热管理性能，确保在高电流操作下的稳定运行。

SiC674CD广泛应用于各种功率电子系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及电机控制电路。由于其高电流承载能力和低导通电阻，SiC674CD特别适合用于高效率的电源转换模块，如服务器电源、电信设备和工业自动化系统。
　　在汽车电子领域，SiC674CD可用于车载充电系统、电动助力转向（EPS）以及车载DC-DC转换器，提供稳定可靠的功率控制。此外，该器件也适用于太阳能逆变器和储能系统，支持绿色能源技术的发展。

SiC674CD的替代型号包括SiC674LD、SiC674ED、SiC674BD、SiC674A和SiC674C。