类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：60V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：100A（在25°C时）
　　导通电阻(RDS(on))：约2.5mΩ（典型值，具体取决于测试条件）
　　最大功耗(PD)：200W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）、TO-220、TO-247等

2STN2550具有多项优异的电气和物理特性，适用于高要求的功率电子应用。其主要特性包括：
　　1. **低导通电阻（RDS(on)）**：2STN2550的导通电阻非常低，通常在2.5mΩ左右，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。由于MOSFET在导通状态下的功耗与RDS(on)成正比，因此该特性使得器件在高电流应用中依然保持较低的温升。
　　2. **高电流承载能力**：该器件可承载高达100A的连续漏极电流（在25°C时），适用于需要大电流驱动的应用，如电动工具、工业电机控制和电源转换系统。
　　3. **高电压耐受能力**：最大漏源电压为60V，适用于中高压功率应用，如DC-DC转换器、电池管理系统等。
　　4. **快速开关特性**：2STN2550具有快速的开关响应能力，能够在高频条件下工作，减少开关损耗，提高系统的整体效率。这对于高频电源转换器和PWM控制电路尤为重要。
　　5. **热稳定性与可靠性**：该器件采用先进的功率封装技术，确保在高功率条件下具有良好的热管理和稳定性。其工作温度范围为-55°C至+175°C，适合在恶劣环境下使用。
　　6. **栅极驱动兼容性**：2STN2550的栅极电压范围为±20V，适用于常见的MOSFET驱动器和控制器，简化了电路设计。
　　7. **封装多样性**：提供多种封装选项，包括TO-263（D2PAK）、TO-220和TO-247等，满足不同应用场景对散热和空间的需求。

2STN2550适用于多种高功率、高效率的电子系统，主要应用领域包括：
　　1. **电源管理**：用于DC-DC转换器、同步整流器、稳压器等，提高电源转换效率并降低发热。
　　2. **电机控制**：在电动工具、工业电机驱动器和伺服控制系统中作为功率开关，提供高电流驱动能力。
　　3. **电池管理系统**：用于电池充放电控制电路，确保电池的安全运行和高效能量管理。
　　4. **逆变器与UPS系统**：在不间断电源（UPS）和逆变器中用于高频开关控制，提高系统响应速度和稳定性。
　　5. **汽车电子**：用于车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）和车用电机控制器等，满足汽车工业对高可靠性和耐温性的要求。
　　6. **工业自动化**：在PLC、工业变频器和自动化控制系统中作为功率开关元件，实现高效的能量传输和控制。

STP100N6F6, STP100N6F6-1, IRF1405, IRF1405PBF, STW100N6F6