UTC7N80L 时间：2025/7/8 23:50:48 阅读：8

UTC7N80L是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率切换的电路中。该器件采用TO-252封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频应用中提供优异的性能。

参数

最大漏源电压：80V
　　连续漏极电流：7A
　　导通电阻：0.13Ω
　　栅极电荷：14nC
　　开关时间：t_on=31ns, t_off=16ns
　　工作温度范围：-55℃至150℃

特性

UTC7N80L具备低导通电阻，能够有效降低传导损耗，提高整体效率。同时，其快速开关特性和较低的栅极电荷使得它非常适合高频应用。此外，该器件的高雪崩能量能力确保了在异常条件下也能稳定工作。
　　由于采用了先进的制造工艺，UTC7N80L还具有出色的热稳定性，在高温环境下依然能够保持可靠的性能表现。另外，其紧凑的TO-252封装形式也便于在空间受限的应用场景中使用。

应用

UTC7N80L主要应用于开关电源中的功率开关，DC-DC转换器中的同步整流，电机驱动中的功率级控制，以及负载开关等场景。在这些应用中，其低导通电阻和高开关速度可以显著降低功耗并提升系统效率。
　　此外，由于其良好的热性能和可靠性，UTC7N80L也被广泛用于汽车电子、工业自动化设备和消费类电子产品中。