时间：2025/8/13 11:34:01
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LNB86099DT0AG 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的低噪声放大器（LNA），主要用于射频（RF）和微波通信系统中。该器件具有高增益、低噪声系数和良好的线性性能，适用于各种无线基础设施应用，如蜂窝基站、无线接入网络和测试设备。该器件采用先进的SiGe（硅锗）工艺制造，能够在高频段提供出色的性能。
类型: 射频低噪声放大器（LNA）
封装类型: SOT-89
频率范围: 100 MHz 至 6 GHz
增益: 典型值20 dB
噪声系数: 典型值0.55 dB
输出IP3: 典型值+25 dBm
工作电压: 3.3 V 至 5.5 V
电流消耗: 典型值35 mA
工作温度范围: -40°C 至 +105°C
LNB86099DT0AG 的主要特性之一是其宽频率覆盖范围，使其适用于从低频通信到高频微波应用的多种系统。该器件的高增益和低噪声系数确保了接收信号的清晰度和稳定性，适用于高灵敏度接收机前端设计。此外，其高输出IP3性能提高了系统的抗干扰能力，从而增强了整体链路性能。LNB86099DT0AG 还具有良好的输入和输出匹配特性，减少了外部匹配电路的需求，简化了设计过程。其宽工作电压范围（3.3V至5.5V）提供了更高的灵活性，适合多种电源配置。此外，SOT-89封装形式确保了良好的热管理和空间利用率，适合高密度PCB布局。
LNB86099DT0AG 主要应用于无线基础设施，如蜂窝基站（GSM、CDMA、LTE等）、点对点微波通信、无线接入网络（WLAN、WiMAX）、测试和测量设备以及各种射频接收机前端设计。其优异的噪声和线性性能使其在需要高灵敏度和稳定性的系统中表现出色。
LNA86099DT0AG, LNA86099DS0AG, LNA86099DTCAG, MAX2642, BGA7257
