时间：2025/9/1 16:26:56
阅读：10
IS61QDPB42M36A1-500M3L 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速双端口同步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件采用同步设计，提供高速数据访问能力，适用于需要高性能存储解决方案的应用场景。该SRAM芯片具有36位数据总线宽度，容量为42Mbit，采用BGA封装，适合在工业级温度范围内稳定工作。
制造商：ISSI
型号：IS61QDPB42M36A1-500M3L
类型：同步双端口SRAM
容量：42Mbit
数据总线宽度：36位
速度：500MHz
封装类型：BGA
电源电压：2.3V - 3.6V
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
引脚数：165
存取时间：500MHz
工作模式：同步突发模式
IS61QDPB42M36A1-500M3L 是一款高性能双端口SRAM，具有同步接口，适用于高速数据处理应用。该芯片支持两个独立端口，允许同时进行读写操作，提高了系统吞吐量。其高速特性使其适用于网络交换、数据缓冲、工业控制和通信系统等对性能要求较高的场合。
这款SRAM具有低功耗设计，同时保持高速运行能力，适用于对功耗敏感但又需要高性能的应用环境。其同步接口设计简化了系统时序控制，提高了系统稳定性。该芯片采用165引脚BGA封装，节省空间，便于在高密度PCB设计中使用。
此外，IS61QDPB42M36A1-500M3L 支持多种工作模式，包括突发模式和自动刷新功能，增强了其灵活性和适用性。其36位数据总线宽度支持ECC校验，适合需要高数据完整性的系统。该器件符合RoHS环保标准，适用于工业级和通信设备。
IS61QDPB42M36A1-500M3L 主要应用于需要高速缓存和大容量存储的系统中。例如，它可用于高性能网络设备、路由器、交换机的数据缓冲，也可用于工业控制系统的高速数据处理和存储。此外，该芯片还可用于图像处理设备、测试仪器和通信基站等对数据处理速度和稳定性有较高要求的设备。由于其双端口特性，该SRAM特别适用于需要并行访问的场合，如多处理器系统、实时控制系统和高速缓存设计。该芯片的ECC支持也使其适用于需要高可靠性的系统，如服务器和工业计算机。
IS61QDPB42M36A1-500M3LB, IS61QDPB42M36A1-500MGB
