类型：双向TVS二极管阵列
　　通道数：1
　　工作电压（VRWM）：3.3V
　　击穿电压（VBR）：min 3.7V, typ 4.0V, max 4.3V
　　最大钳位电压（VC）：9V @ IPP = 1A
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A
　　结电容（Cj）：典型值0.8pF
　　ESD耐受能力：±15kV（空气放电），±8kV（接触放电）
　　反向漏电流（IR）：≤1μA
　　封装形式：DFN1006-2（1×0.6×0.5mm）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　焊接温度（最大）：260°C（每J-STD-020）

UVZ2G3R3MPD的核心特性在于其卓越的瞬态电压抑制能力和高度集成的小型化设计，使其成为高速数据接口保护的理想选择。该器件采用硅基PN结结构，具备双向导通能力，能够在正负极性的瞬态过压事件中均提供对称保护，特别适用于差分信号线路如USB D+/D-、I2C总线等应用场景。其工作电压为3.3V，击穿电压典型值为4.0V，在正常工作状态下几乎不消耗电流，反向漏电流低于1μA，不会对系统功耗造成负担。一旦发生ESD事件或瞬态浪涌，器件会在纳秒级时间内迅速导通，将瞬态能量引导至地，从而将线路电压钳制在安全水平（最大9V），防止后级IC因过压而损坏。
　　另一个显著优势是其超低结电容，典型值仅为0.8pF，远低于传统TVS器件，这意味着它在高频信号路径上引入的寄生效应极小，不会引起信号失真、反射或衰减，适用于高达数Gbps的数据传输速率。这对于现代高速接口如USB 2.0、HDMI、MIPI、SD卡接口等至关重要。此外，该器件通过了IEC 61000-4-2 Level 4最高等级ESD测试认证，能够承受±15kV空气放电和±8kV接触放电，表现出优异的抗干扰能力和长期可靠性。DFN1006-2微型封装不仅节省PCB空间，还具有良好的热传导性能和机械稳定性，适合回流焊工艺，满足现代电子产品小型化、轻薄化的发展趋势。
　　从系统设计角度看，UVZ2G3R3MPD无需额外偏置电路或控制逻辑，属于无源自触发保护元件，安装简便且成本低廉。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其可在严苛工业环境或高温车载应用中稳定运行。综合来看，UVZ2G3R3MPD在响应速度、保护效能、信号完整性保持及物理尺寸方面达到了高度优化，是高端消费电子、可穿戴设备、智能手机、平板电脑和物联网终端中不可或缺的电路保护组件。

UVZ2G3R3MPD主要用于各类需要高可靠性和小型化设计的电子设备中的信号线保护。典型应用包括便携式消费类电子产品中的USB接口（如Micro-USB、Type-C）数据线保护，防止用户插拔过程中产生的静电损坏主控芯片；在智能手机和平板电脑中用于保护耳机插孔、触摸屏控制器信号线以及摄像头模组的MIPI接口；在无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、ZigBee）中用于RF前端或数字控制线路的ESD防护；还可应用于笔记本电脑、数码相机、智能手表等设备的HDMI、DisplayPort等高速视频接口保护。
　　此外，该器件也适合工业控制系统中低电压信号线路的瞬态抑制，例如传感器信号采集线、编码器接口、I2C/SPI通信总线等场景，尤其在存在频繁开关操作或电磁干扰较强的环境中能有效提升系统鲁棒性。由于其符合RoHS和无卤素要求，UVZ2G3R3MPD也广泛用于绿色电子产品设计中。其微型封装特性使其特别适用于空间受限的应用场合，如TWS耳机、健康监测手环、AR/VR头显等可穿戴设备内部精密电路的防护。总之，凡是涉及低电压、高速率、高密度布线且暴露于人体接触风险的电子接口，UVZ2G3R3MPD都能提供高效可靠的瞬态电压保护方案。

SM712-02MTC
　　TPD1E10B06DPYR
　　ESD9L5.0ST5G