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GA0805A1R0CXCBP31G 发布时间 时间:2025/7/1 3:35:06 查看 阅读:7

GA0805A1R0CXCBP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
  该器件属于沟道增强型 MOSFET,能够提供高效的电力传输和转换,同时支持高频操作,从而减少系统中的能量损耗。

参数

型号:GA0805A1R0CXCBP31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):55A
  导通电阻(Rds(on)):1.0mΩ(典型值,Vgs=10V)
  总功耗(Ptot):180W
  结温范围(Tj):-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247-3

特性

GA0805A1R0CXCBP31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在大电流条件下显著降低功率损耗。
  2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
  3. 优化的热阻设计,提升散热能力,确保在高负载下的稳定性。
  4. 具备良好的静电防护能力,提高可靠性。
  5. 支持宽泛的工作温度范围,适用于各种工业环境。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  这些特点使得 GA0805A1R0CXCBP31G 在要求高效、可靠和紧凑设计的应用中表现出色。

应用

该芯片的主要应用领域包括:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC 转换器中的功率级开关。
  3. 电动工具、家用电器中的电机驱动电路。
  4. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
  5. 新能源汽车及电动车中的电池管理系统 (BMS) 和逆变器。
  由于其强大的性能和灵活性,GA0805A1R0CXCBP31G 成为许多高功率应用的理想选择。

替代型号

IRFP2907, FDP067N06L, STP55NM60E

GA0805A1R0CXCBP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容1 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-