FV31X331K202ECG 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的场景。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,从而显著降低功耗并提升系统效率。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,支持高频应用,同时提供优异的热性能和电气稳定性。其封装形式为行业标准类型,便于设计集成到各种电路中。
型号:FV31X331K202ECG
类型:N 沟道 MOSFET
工作电压(Vds):30V
连续漏极电流(Id):80A
导通电阻(Rds(on)):1.6mΩ
栅极电荷(Qg):47nC
最大功耗(Ptot):150W
结温范围(Tj):-55°C 至 +175°C
封装:TO-247-3
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为 1.6mΩ,能够有效减少传导损耗,提高整体效率。
2. 高额定电流(80A),适合大功率应用场景。
3. 支持高达 30V 的漏源电压,确保在多种电压环境下稳定运行。
4. 快速开关能力,具有较低的栅极电荷(47nC),适用于高频操作。
5. 优异的热性能,能够在极端温度范围内可靠工作(-55°C 至 +175°C)。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
7. 封装坚固耐用,具备良好的散热性能,可直接焊接至 PCB 或散热片上。
1. 开关电源 (SMPS):
- AC-DC 和 DC-DC 转换
- 功率因数校正 (PFC)
2. 电机驱动:
- 无刷直流电机控制
- 步进电机驱动
3. 工业设备:
- 变频器
- 不间断电源 (UPS)
4. 汽车电子:
- 电动助力转向系统 (EPS)
- 电池管理系统 (BMS)
5. 其他应用:
- 太阳能逆变器
- LED 驱动器
FV31X331K201ECG, FV31X331K203ECG