时间：2025/5/8 12:24:13
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SI9424BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET Gen III 技术，旨在提供卓越的导通电阻和开关性能。其小型化的封装设计（PowerPAK 8x8L）使其非常适合空间受限的应用场景，同时支持高电流处理能力。
该 MOSFET 的工作电压为 40V，适用于广泛的电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及通信设备中的功率调节模块。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：26A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：28nC
总电容：1750pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：PowerPAK 8x8L
SI9424BDY-T1-GE3 提供了非常低的导通电阻（Rds(on)），从而能够显著减少传导损耗并提高效率。此外，TrenchFET Gen III 技术确保了更少的栅极电荷和更快的开关速度，这对于高频开关应用尤为重要。
该器件还具备出色的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。由于其紧凑的 PowerPAK 8x8L 封装设计，因此非常适合需要高功率密度的电路。
此外，它具有较低的输入电容和输出电容，有助于进一步优化开关性能。整体上，这款 MOSFET 在高效能和小尺寸之间实现了良好的平衡。
SI9424BDY-T1-GE3 广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流
2. DC-DC 转换器的核心功率级
3. 笔记本电脑及平板电脑的负载开关
4. 通信设备中的功率调节模块
5. 工业自动化中的电机驱动控制
6. 电池管理系统中的保护和切换功能
这些应用得益于其低导通电阻、快速开关特性和高电流承载能力。
SIH942N-D-T1-E3, SI9422DY-T1-GE3
