时间：2025/6/12 2:27:22
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TMK063CG090DT-F 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、电机驱动和逆变器等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率和高可靠性的特点，适合于需要高效功率转换的应用场景。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，能够承受较高的漏源电压，并且具备快速开关特性，从而减少了开关损耗。此外，其封装形式也经过优化设计，能够提供良好的散热性能。
最大漏源电压：90V
连续漏极电流：63A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：85nC
总电容：1200pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：D2PAK
1. TMK063CG090DT-F 具有非常低的导通电阻，仅为 1.5mΩ，这使得其在大电流应用中表现出色，显著降低了导通损耗。
2. 该器件支持高达 63A 的连续漏极电流，适用于高功率密度的设计需求。
3. 快速开关特性，结合较低的栅极电荷（85nC），可有效减少开关过程中的能量损失。
4. 工作温度范围宽广，从 -55℃ 到 175℃，使其能够在恶劣环境下稳定运行。
5. 封装采用 D2PAK 标准，便于安装并确保优秀的热传导能力。
TMK063CG090DT-F 广泛应用于多种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动器
3. 太阳能逆变器
4. 电动车控制器
5. 工业自动化设备
6. 高效 DC-DC 转换器
由于其出色的电气特性和可靠性，该器件非常适合要求高性能和低功耗的场合。
TMK063CG090DT-E, IRFZ44N, AO3400A
