时间：2025/5/10 16:18:07
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SI4831-B30-GUR 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有极低的导通电阻和优化的开关性能，适用于高效率、高频应用场合。其封装形式为表面贴装的 UPAK（6 引脚），非常适合紧凑型设计。
型号：SI4831-B30-GUR
类型：N 沟道功率 MOSFET
Vds（漏源极电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：2.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
Id（连续漏极电流）：76A
Ptot（总功耗）：1.6W
栅极电荷（Qg）：29nC
开关时间：t_on=13ns；t_off=26ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：UPAK（6 引脚）
SI4831-B30-GUR 具有超低导通电阻，可显著降低传导损耗，从而提升系统的整体效率。此外，它具备快速开关速度，有助于减少开关损耗，适合高频应用场景。
由于采用了先进的 TrenchFET 第三代技术，该 MOSFET 在保持高性能的同时，还提供了出色的热稳定性和可靠性。它的小型化封装也使其成为对空间敏感的设计的理想选择。
此外，该器件支持高达 175°C 的工作温度范围，能够在恶劣环境下长期可靠运行，广泛适用于工业及汽车电子领域。
该功率 MOSFET 主要应用于需要高效功率转换和低损耗的场景，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动电路、负载切换以及电池保护等。其低 Rds(on) 和高频特性使其特别适合于笔记本电脑适配器、服务器电源模块、通信电源设备以及其他便携式电子产品的电源管理系统。
同时，由于其较高的工作温度范围，SI4831-B30-GUR 还可以用于汽车电子系统中，如电动助力转向、LED 驱动、启动停止系统等。
SI4838DY-E3, SI4844DY-E3
