SI4831-B30-GUR 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造,具有极低的导通电阻和优化的开关性能,适用于高效率、高频应用场合。其封装形式为表面贴装的 UPAK(6 引脚),非常适合紧凑型设计。
型号:SI4831-B30-GUR
类型:N 沟道功率 MOSFET
Vds(漏源极电压):30V
Rds(on)(导通电阻):2.5mΩ(在 Vgs=10V 时)
Id(连续漏极电流):76A
Ptot(总功耗):1.6W
栅极电荷(Qg):29nC
开关时间:t_on=13ns;t_off=26ns
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装:UPAK(6 引脚)
SI4831-B30-GUR 具有超低导通电阻,可显著降低传导损耗,从而提升系统的整体效率。此外,它具备快速开关速度,有助于减少开关损耗,适合高频应用场景。
由于采用了先进的 TrenchFET 第三代技术,该 MOSFET 在保持高性能的同时,还提供了出色的热稳定性和可靠性。它的小型化封装也使其成为对空间敏感的设计的理想选择。
此外,该器件支持高达 175°C 的工作温度范围,能够在恶劣环境下长期可靠运行,广泛适用于工业及汽车电子领域。
该功率 MOSFET 主要应用于需要高效功率转换和低损耗的场景,例如 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动电路、负载切换以及电池保护等。其低 Rds(on) 和高频特性使其特别适合于笔记本电脑适配器、服务器电源模块、通信电源设备以及其他便携式电子产品的电源管理系统。
同时,由于其较高的工作温度范围,SI4831-B30-GUR 还可以用于汽车电子系统中,如电动助力转向、LED 驱动、启动停止系统等。
SI4838DY-E3, SI4844DY-E3