耐辐射、22V 半桥 GaN 栅极驱动器
空间卫星电源
电机驱动器
反作用轮
通信有效载荷
光学成像有效载荷
卫星电力系统
自举电源电压(最大)(V):22
电源开关:GaNFET
输入电源电压(最小)(V):10
输入电源电压(最大)(V):16
峰值输出电流(A):1.3
工作温度范围:-55至125℃
欠压锁定(典型)(V):8
评级:空间
传播延迟时间(?s):0.035
上升时间(ns):0.4
下降时间(ns):4
Iq(mA):0.5
输入阈值:TTL
通道输入逻辑:TTL/PWM
特点:死区时间控制、联锁、内部LDO
驱动程序配置:半桥
- 辐射性能:
总电离剂量(TID)为100krad(Si)的辐射硬度保证(RHA)
不受线性能量转移(LET)影响的单事件瞬态(SET)、单事件烧毁(SEB)和单事件闸门破裂(SEGR)=75MeV-cm2/mg
单事件瞬态(SET)和单事件功能中断(SEFI)的特征高达LET=75MeV-cm2/mg
- 1.3A峰值源电流,2.5A峰值吸收电流
- 两种操作模式:
单PWM输入,死区时间可调
两个独立的输入
- 独立输入模式下的可选输入联锁保护
- 分体式输出,可调节开启和关闭时间
- 独立输入模式下30ns的典型传播延迟
- 5.5ns典型延迟匹配
- 塑料包装按照ASTM E595进行脱气测试
- 适用于军用温度范围(-55°C至125°C)
TPS7H60x5系列辐射硬度保证(RHA)氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)栅极驱动器专为高频、高效和高电流应用而设计。该系列包括TPS7H6005(额定电压200V)、TPS7H6015(额定电流60V)和TPS7H6025(额定功率22V)。这些设备中的每一个都有一个56针的HTSSOP塑料封装,有QMLP和空间增强塑料(SEP)两种等级。驱动器具有可调节的死区时间能力、30ns的小传播延迟和5.5ns的高侧和低侧匹配。这些部件还包括内部高侧和低侧LDO,无论电源电压如何,都能确保5V的驱动电压。TPS7H60x5驱动器都具有分体式栅极输出,提供了独立调整输出开启和关闭强度的灵活性。
TPS7H60x5驱动器具有两种控制输入模式:独立输入模式(IIM)和PWM模式。在IIM中,每个输出都由专用输入控制。在PWM模式下,从单个输入产生两个互补的输出信号,用户可以调整每个边缘的死区时间。
栅极驱动器还在独立输入模式下提供用户可配置的输入联锁,作为防击穿保护。当两个输入同时打开时,输入联锁不允许打开两个输出。用户可以选择在独立输入模式下启用或禁用此保护,这允许在多种不同的转换器配置中使用驱动器。驱动器也可用于半桥和双低压侧转换器应用。