IRLML0030GTRPBF 时间：2025/7/11 23:59:39 阅读：8

IRLML0030GTRPBF 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沃特型逻辑电平增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（N-MOSFET）。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种功率转换、负载切换和电机驱动应用。其封装形式为 SO-8 小外形表面贴装型，非常适合空间受限的设计。
　　该 MOSFET 的设计使其能够在较低的栅极驱动电压下正常工作，这使得它特别适合与低压微控制器或数字信号处理器搭配使用。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：2.95A
　　导通电阻（Rds(on)）：16mΩ @ Vgs=4.5V
　　栅极电荷：1.8nC
　　功耗：1.07W
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SO-8

特性

IRLML0030GTRPBF 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻，能够有效降低功率损耗并提高效率。
　　2. 高速开关性能，可实现快速开关操作，减少开关损耗。
　　3. 逻辑电平兼容的阈值电压，支持低至 1.8V 的栅极驱动电压，方便与现代数字电路集成。
　　4. 具备良好的热稳定性，即使在高温环境下也能保持稳定的性能。
　　5. 提供过流保护功能，增强了系统的可靠性。
　　6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
　　这些特性使 IRLML0030GTRPBF 成为许多中低功率应用的理想选择。

应用

IRLML0030GTRPBF 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）和直流-直流转换器。
　　2. 电池管理及保护系统。
　　3. 各类电机驱动，例如小型风扇、泵或伺服电机。
　　4. 负载开关和电源管理模块。
　　5. LED 驱动器和背光控制。
　　6. 工业自动化设备中的信号和功率切换。
　　由于其紧凑的封装和高效性能，这款 MOSFET 特别适合便携式电子设备和其他对尺寸和效率有严格要求的应用场景。