时间：2025/5/22 12:51:43
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SI7211-B-00-IV 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen IV 技术制造，具有较低的导通电阻和较高的效率，适用于多种开关应用。其封装形式为 Hot FET? PowerPAK? 8x8 封装，这种封装能够提供良好的散热性能以及紧凑的布局设计。
该器件主要面向消费电子、工业控制以及通信设备中的高效能电源管理需求。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：14A
导通电阻（典型值）：1.6mΩ
栅极电荷：19nC
反向恢复时间：36ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
SI7211-B-00-IV 具有非常低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高整体效率。此外，它采用了先进的 TrenchFET Gen IV 工艺，使得单位面积内的电流承载能力更高，同时保持了较低的热阻。这款 MOSFET 的高开关速度也使其非常适合高频开关应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等场景。
另外，由于其出色的热性能，即使在高温环境下也能保持稳定的电气特性。这些特点共同决定了 SI7211-B-00-IV 在各种功率转换电路中表现出色。
该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、POL 转换器、电池供电设备、笔记本电脑、平板电脑及移动电源等便携式设备中的电源管理系统。同时，在电信系统、工业自动化以及汽车电子等领域，SI7211-B-00-IV 同样可以作为关键组件使用，以实现高效的电力传输与控制。
具体应用场景包括但不限于同步整流、负载切换、降压/升压转换以及电机驱动等。
SI7211DP, IRF7843, AO3402A
