时间：2025/5/29 14:00:49
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FN15N1R2C500PNG是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景。该器件采用PDFN5*6封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著降低功耗并提升系统效率。
这款MOSFET的主要优势在于其出色的电气性能与紧凑的封装设计，适用于对空间敏感的应用场合，同时支持较高的工作电压，满足多种工业和消费类电子需求。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：1.2A
导通电阻：0.14Ω（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：7nC（典型值）
总电容：180pF（典型值）
封装形式：PDFN5*6
工作温度范围：-55℃至+150℃
FN15N1R2C500PNG具备以下主要特性：
1. 高耐压能力，适合需要较高漏源电压的应用环境。
2. 极低的导通电阻，减少导通损耗，从而提高整体效率。
3. 快速开关性能，有助于减小开关损耗。
4. 小型化PDFN5*6封装，节省PCB空间。
5. 出色的热稳定性，可在宽广的工作温度范围内保持稳定性能。
6. 符合RoHS标准，环保且易于焊接。
此款MOSFET特别适合在中小功率电路中使用，例如电池管理系统、LED驱动器及家用电器控制模块。
FN15N1R2C500PNG常用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的初级或次级侧开关。
2. DC-DC转换器，如降压、升压或反激式拓扑结构。
3. 电机驱动电路，包括小型直流电机和步进电机控制。
4. 各种负载开关应用，例如USB充电端口保护。
5. LED照明系统的恒流驱动。
6. 消费类电子产品中的功率管理单元(PMU)。
由于其紧凑的设计和高效能表现，该器件非常适合便携式设备和其他对尺寸和效率有严格要求的产品。
IRF7404
AO3400
FDP140N15L
