FN15N1R2C500PNG是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景。该器件采用PDFN5*6封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著降低功耗并提升系统效率。
这款MOSFET的主要优势在于其出色的电气性能与紧凑的封装设计,适用于对空间敏感的应用场合,同时支持较高的工作电压,满足多种工业和消费类电子需求。
最大漏源电压:150V
连续漏极电流:1.2A
导通电阻:0.14Ω(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:7nC(典型值)
总电容:180pF(典型值)
封装形式:PDFN5*6
工作温度范围:-55℃至+150℃
FN15N1R2C500PNG具备以下主要特性:
1. 高耐压能力,适合需要较高漏源电压的应用环境。
2. 极低的导通电阻,减少导通损耗,从而提高整体效率。
3. 快速开关性能,有助于减小开关损耗。
4. 小型化PDFN5*6封装,节省PCB空间。
5. 出色的热稳定性,可在宽广的工作温度范围内保持稳定性能。
6. 符合RoHS标准,环保且易于焊接。
此款MOSFET特别适合在中小功率电路中使用,例如电池管理系统、LED驱动器及家用电器控制模块。
FN15N1R2C500PNG常用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的初级或次级侧开关。
2. DC-DC转换器,如降压、升压或反激式拓扑结构。
3. 电机驱动电路,包括小型直流电机和步进电机控制。
4. 各种负载开关应用,例如USB充电端口保护。
5. LED照明系统的恒流驱动。
6. 消费类电子产品中的功率管理单元(PMU)。
由于其紧凑的设计和高效能表现,该器件非常适合便携式设备和其他对尺寸和效率有严格要求的产品。
IRF7404
AO3400
FDP140N15L