MMBT5551-H是一款NPN型高频晶体管,广泛用于射频和开关电路中。该晶体管采用SOT-23封装,适用于各种高性能电子设备。MMBT5551-H以其高增益和快速开关特性而闻名,是许多电子设计中的常用元件。
晶体管类型:NPN
封装类型:SOT-23
最大集电极电流:100mA
最大集电极-发射极电压:150V
最大集电极-基极电压:150V
最大基极电流:5mA
最大功耗:300mW
最大工作温度:150°C
增益带宽积:100MHz
MMBT5551-H晶体管具有多个显著特性。首先,其高增益带宽积达到100MHz,使其非常适合高频应用。其次,该晶体管的最大集电极-发射极电压为150V,具备较高的电压承受能力。此外,MMBT5551-H的SOT-23封装使其易于集成到各种电路设计中。
该晶体管的最大集电极电流为100mA,能够处理相对较大的电流负载。其最大功耗为300mW,确保在较高功率应用中的稳定性。MMBT5551-H的快速开关特性也使其在数字电路中表现出色,适用于需要高速切换的场景。
此外,MMBT5551-H的高可靠性设计使其能够在恶劣的工作环境中保持稳定性能。其最大工作温度为150°C,确保在高温条件下仍能正常运行。这些特性使MMBT5551-H成为许多高性能电子设备的理想选择。
MMBT5551-H广泛应用于射频放大器、高频开关电路、电源管理电路以及各种高性能电子设备。由于其高增益和快速开关特性,它特别适合用于需要高频操作和快速响应的电路设计中。此外,MMBT5551-H也可用于音频放大器和信号处理电路,提供高质量的信号传输和处理能力。
MMBT5551, MMBT5550