时间：2025/6/14 20:12:12
阅读：7
SI7178DP是一款由Vishay生产的N沟道功率MOSFET，采用TrenchFET? Gen III技术制造。该器件设计用于高频开关应用和负载切换场景，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和极佳的开关性能。其优化的封装形式（SOT-23）使其非常适合于空间受限的设计环境。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：5.4A
导通电阻(Rds(on))：60mΩ（在Vgs=4.5V时）
总功耗(Ptot)：490mW
结温范围(Tj)：-55°C to 150°C
封装类型：SOT-23
SI7178DP采用了先进的TrenchFET? Gen III技术，能够显著降低导通电阻，从而减少功率损耗并提高效率。
该器件具有非常低的输入电容(Ciss)，使得它在高频开关应用中表现出色。
同时，它的快速开关速度和较低的栅极电荷(Qg)有助于减少开关损耗。
SOT-23的小型封装使其适用于各种便携式设备及空间受限的应用场景。
该MOSFET适合用于DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路、电机驱动以及便携式电子设备中的电源管理。由于其良好的热性能和电气性能，也常被用作同步整流器或POL转换器中的开关元件。
SI2302DS, BSS138, AO3400
