类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：4.9A（单通道）
　　导通电阻(RDS(on))：23mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻(RDS(on))：30mΩ @ VGS=4.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TSOP6

FDW6466采用先进的PowerTrench?技术，实现了极低的导通电阻（RDS(on)），有效降低了导通损耗，提高了电源转换效率。
　　该器件支持高达±20V的栅源电压，具备较强的抗过压能力，增强了在复杂电源环境下的工作稳定性。
　　其双N沟道结构设计使得两个MOSFET可以并行工作，适用于同步整流、H桥驱动和双向开关等应用。
　　FDW6466的TSOP6封装形式具有较小的体积和良好的热管理性能，适用于空间受限的便携式电子设备和高密度电源模块。
　　此外，该器件具有快速的开关特性，降低了开关损耗，提高了系统的工作频率和响应速度，适用于高频DC-DC转换器等应用。
　　FDW6466还具备较高的耐用性和可靠性，能够在高温环境下稳定运行，适合工业级和汽车电子应用场合。

FDW6466广泛应用于各类电源管理系统，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关和电源分配系统。
　　由于其高效的开关性能和低导通电阻，该器件常用于便携式电子产品中的电池管理系统，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
　　在汽车电子系统中，FDW6466可用于车载充电器、LED驱动器和电动工具等应用场景。
　　此外，它也适用于工业自动化设备、电机驱动器和智能电表等对电源效率和可靠性有较高要求的应用领域。

FDW6466的替代型号包括FDW6467、FDW6468、FDW6469、FDW6470、FDW6471、FDW6472等，这些型号在参数上略有差异，可根据具体应用场景进行选择。