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SI3446ADV-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/5 12:30:54 查看 阅读:10

SI3446ADV-T1-GE3 是一款由 Silicon Labs 公司生产的高效能、低功耗的 SPDT (单刀双掷) 模拟开关芯片。该芯片适用于需要在不同信号路径之间进行快速切换的应用场景,具有极低的导通电阻和出色的线性度,确保信号传输的完整性和精度。
  该器件支持宽范围的工作电压,能够在较低的电源电压下保持高性能表现。此外,其设计注重低功耗特性,非常适合便携式设备和电池供电系统中的应用。

参数

类型:SPDT 模拟开关
  工作电压范围:1.6V 至 3.6V
  导通电阻(Ron):2.5Ω(典型值)
  关断隔离:-70dB(@1 MHz)
  带宽:300MHz
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:TSSOP-16

特性

SI3446ADV-T1-GE3 的主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻(Ron),确保信号传输过程中最小的功率损耗和失真。
  2. 高线性度和低失真性能,适合处理高保真音频信号和其他敏感模拟信号。
  3. 支持高达 300MHz 的带宽,能够适应多种高频信号切换需求。
  4. 低功耗设计,使芯片在电池供电设备中具有更长的使用寿命。
  5. 出色的关断隔离能力,防止信号串扰和干扰。
  6. 小尺寸封装,便于在空间受限的设计中使用。
  7. 宽工作电压范围,增强了其在不同应用场景下的兼容性。

应用

SI3446ADV-T1-GE3 广泛应用于以下领域:
  1. 音频信号切换,如耳机插孔检测与音频路径选择。
  2. 便携式电子设备中的信号路由,例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
  3. 工业控制系统的信号切换。
  4. 医疗设备中的多路信号复用。
  5. 通信设备中的射频和中频信号切换。
  6. 自动测试设备中的信号分配与切换。
  7. 任何需要高性能、低功耗 SPDT 开关的场合。

替代型号

SI3445ADV-T1-GM3, MAX4642AETA+T, ADG787BCPZ-REEL7

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SI3446ADV-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C37 毫欧 @ 5.8A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.8V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds640pF @ 10V
  • 功率 - 最大3.2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)